• 作者： 葉鳳生; 陳隆傑; 黃淑珍
• 作者服務機構： 國立清華大學電機工程研究所; 私立復興工業專科學校化學科; 國立清華大學物理研究所
• 中文摘要： 無晶形矽氫、矽氫氟合金薄膜，在r.f.撞積(sputtering)及輝光放電(glow-discharge)系統分別製成，以通入不同比例之氬、氫、氟化矽等氣體沈積多種樣品，再以X光、導電、光導、光吸收及紅外線之吸收情形來瞭解薄膜之基本性質，紅外光譜之分析，找出氫鍵、氟鍵之存在、導電係數及光導係數之大小，可瞭解活化能之大小，光線吸收之情形決定了光能隙，這些實驗顯示出此二種矽基合金中，無晶形氫、氟矽合金含較低的局布狀態，又在退火實驗中，也知無晶形矽氫氟合金有較佳的抗熱阻力，所以無晶形矽氫氟合金在電子元件材料中，有發展之價值。
• 英文摘要： Amorphous silicon-based alloys containing hydrogen and fluorine have been fabricated by r.f. sput-tering and r.f. glow discharge in silicon tetrafluroride, hydrogen, and Ar gas. Films have been characterizedusing X-ray diffraction, conductivity, photoconductivity, optical absorption and infra-red techniques.Infra-red spectrum shows films contain hydrogen bond and fluorine bond. Photconductivity and conduc-tivity give the activation energy of the film. The optical energy gap can be determined from optical absorp-tion. Also, all measurement indicates the lower density of states achieved in the a-Si:H：F alloy. The studyon annealing effect gives the evidence the a-Si：H：F is heat resistant. So a-Si：H：F is one of the most prom-ising materials for electronic device application.
• 中文關鍵字： --
• 英文關鍵字： --