• 作者： 陳治宏; 李娟娟
• 作者服務機構： 國立交通大學
• 中文摘要： 本文使用三重擴散及其他必需之特殊處理，同時在單石矽晶片上設計出正通道及負通道加強式金氧半場效電晶體，並製得200微姆跨導1.5-2.5伏特臨界電壓的完照互補對稱性，3-6um的通道長度已可使晶體排列密度超過一般的要求。
• 英文摘要： The triple diffusion with all needed special treatments is used to designboth P-channeld an N-channel，MOST of enchancement mode on monolithicSi. CMOS winh complementary symmetry of gm=200 uU and VT=1.6-2.5V has been fabricated. The 3-6 um channel length makes it possible tofabricate CMOS IC with array density higher than the usual LSI criterion.
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