• 作者： 呂助增
• 作者服務機構： 國立清華大學物理系暨電機系教授
• 中文摘要： 木實驗室首先製作一強烈閃光燈，能有效的使經離子佈植後之半導體恢復結晶狀態，並可解決半導體之金屬化成本昂貴及處理不妥易產生漏電之缺點；該脈衝強光之寬度為100微秒，照射能量最高可達每平方厘米30焦耳，經閃光褪火後之半導體，其表面電阻可迅速降至每一平方單位在100歐姆以下，電子顯微鏡之電子繞射圖形可觀察到單晶之完美結構，本文分別從理論上熱傳導之架構、儀器裝置及樣品測定，加以探討閃光燈褪火之來龍去脈。
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• 中文關鍵字： 閃光燈; 砂晶片; 褪火; 金屬化
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