• 作者： 黃惠良
• 作者服務機構： 國立清華大學電機工程學系
• 中文摘要： 木文將討論 Cu In S 半導體有關的材料製備，成分分析，激光光譜及波長調制光譜等研究，並作為國科會過去九年連續支持本計劃部份成果的總結。 木文對 Cu In S 單晶的成長特別提出「熱區移刺法」加以討論，對 Cu In S 薄膜製作特別提出「三源蒸鍍法」加以討論。對磊晶的製備特別就液態磊晶成長及有機金屬化學氣相沉積所衍生的問題加以討論。 木文亦比較化學及物理方法分析 Cu In S 組成成分的優劣，作為研究該等材料的基礎。 在前述材料及成分分析的基礎上，本文特別應用光激光技術及波長調制反射光譜技術分析 Cu In S 單晶及薄膜能階及其中能位的各項關係。並與現行所發表的文獻相比較。 關鍵詞：Cu In S ，材料製備，組成分析、物理性質、元件製作。
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